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CYT5551D	文件：103.92 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED NPN SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CYT5551HCD	文件：103.55 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,ISOLATEDNPNHIGHCURRENTSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CZT5551	文件：93.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CZT5551	文件：35.59 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconTransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
CZT5551	文件：675.2 Kbytes Page：2 Pages	EpitaxialPlanarTransistor Description TheCZT5551isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CZT5551	文件：1.787 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
CZT5551	文件：1.58247 Mbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
CZT5551-C	文件：314.1 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor FEATURES ?HighVoltageAmplifierApplication ?HighVoltage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CZT5551E	文件：152 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-223case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. MARKINGCODE:FULLPARTNUMBER FEATURES: ?HighCollectorBreakdownVoltage250V ?LowLeakageCurre	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CZT5551HC	文件：127.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551HCtypeisahighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
DMBT5551	文件：228.04 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOM Dc Components	DCCOM
DMMT5551	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) ?2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) ?LeadFree/RoHSCompliant(Note4) ?GreenDevice(Note5an	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551	文件：121.09 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features ?SurfaceMountSOT-363Package ?200mWattsofPowerDissipation ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 ?Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
DMMT5551S	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551S	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) ?2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) ?LeadFree/RoHSCompliant(Note4) ?GreenDevice(Note5an	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT5551-TP	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features ?SurfaceMountSOT-363Package ?200mWattsofPowerDissipation ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 ?Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
DXT5551	文件：238.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	DCCOM Dc Components	DCCOM
DXT5551	文件：372.59 Kbytes Page：6 Pages	160VNPNTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
CYT5551D
功能描述：
兩極晶體管 - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	CYT5551D	CENTRAL	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	CYT5551DBK	Central Semiconductor Corp	24+	SOT-228	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	CYT6000A1	CYT	1948+		18562	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
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深圳市芯祺盛科技有限公司	CYT6118	長運(yùn)通		SOT-89	393625	電源IC原裝正品有優(yōu)勢	詢價(jià)
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深圳市亞泰盈科電子有限公司	CYT6118AK	CYT		SOT-89	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價(jià)
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更多CYT5551D供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 8:01:00

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