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GT25G101

NCHANNELIGBT(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT25G101

SILICONN−CHANNELIGBTSTROBEFLASHAPPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT25G101

DiscreteIGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT25G101SM

SILICONN−CHANNELIGBTSTROBEFLASHAPPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT25G101SM

NCHANNELIGBT(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

STROBEFLASHAPPLICATIONS ●HighInputImpedance ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=8V(Max.)(IC=170A) ●Enhancement?Mode ●12VGateDrive

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多CYS25G101DXATI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 14:30:00