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CY7C1312KV18-250BZI

18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture

FunctionalDescription TheCY7C1312KV18,CY7C1314KV18,andCY7C1910KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRIIarchitecture.QDRIIarchitectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasdedicateddataoutpu

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1312KV18-250BZI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1312KV18-250BZC

18-MbitQDR?IISRAMTwo-WordBurstArchitecture

FunctionalDescription TheCY7C1312KV18,CY7C1314KV18,andCY7C1910KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRIIarchitecture.QDRIIarchitectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasdedicateddataoutpu

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1312KV18-250BZXC

18-MbitQDR?IISRAMTwo-WordBurstArchitecture

FunctionalDescription TheCY7C1312KV18,CY7C1314KV18,andCY7C1910KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRIIarchitecture.QDRIIarchitectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasdedicateddataoutpu

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賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY7C1312KV18-250BZI

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，QDR II

  • 存儲容量：

    18Mb（1M x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-FBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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更多CY7C1312KV18-250BZI供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 13:52:00

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