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CY14B104N

4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104N

4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104N

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA-BA20XC

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

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CY14B104NA-BA20XCT

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA-BA20XI

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA-BA20XI

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

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CY14B104NA-BA20XIT

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B104NA-BA20XIT

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    CY14B104N

  • 制造商:

    CYPRESS

  • 制造商全稱:

    Cypress Semiconductor

  • 功能描述:

    4 Mbit(512K x 8/256K x 16) nvSRAM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Cypress
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Cypress一級(jí)分銷,原裝原盒原包裝!
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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更多CY14B104N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 10:20:00