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IPB010N06N

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·AutomaticTestEquipment ·High-SideSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPB010N06N

OptiMOSTMPower-Transistor,60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB010N06N

NewOptiMOS??40Vand60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NVTYS010N06CL

60N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

NVTYS010N06CL

MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,9.8m,51A

Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NVTYS010N06CLTWG

MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,9.8m,51A

Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多CX010N06供應商 更新時間2025-2-1 17:30:00

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