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CSD19537Q3

采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、14.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低熱阻\n? 雪崩額定值\n? 無(wú)鉛端子鍍層\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無(wú)鹵素\n? 小外形尺寸無(wú)引線(xiàn) (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝;

這款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET?功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成大大降低功率轉(zhuǎn)換 損耗。

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD19537Q3

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD19537Q3_15

CSD19537Q3 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD19537Q3T

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD19537Q3

TI
VSON-8

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

相關(guān)企業(yè)：瀚佳科技(深圳)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：

    14.5

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    219

  • QG typ (nC)：

    16

  • QGD typ (nC)：

    2.9

  • Package (mm)：

    SON3x3

  • VGS (V)：

    20

  • VGSTH typ (V)：

    3

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    53

  • ID - package limited (A)：

    50

  • Logic level：

    No

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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TI/德州儀器
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TI/德州儀器全新特價(jià)CSD19537Q3即刻詢(xún)購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
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TI
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VSON8
16800
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
更多CSD19537Q3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 15:39:00

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