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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
100VN-ChannelNexFEPowerMOSFETs | TI1Texas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司 | TI1 | ||
100VN-ChannelNexFET??PowerMOSFETs | TI1Texas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司 | TI1 | ||
SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR | RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc. | RHOMBUS-IND |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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