首頁(yè)>CSD19502Q5B>芯片詳情

CSD19502Q5B_TI/德州儀器_MOSFET N-CH 80V 20A 8SON敏隆電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    CSD19502Q5B

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    TI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMD

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-9 11:29:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：CSD19502Q5B品牌：TI

十三年沉淀,保證原裝優(yōu)勢(shì)出

  • 芯片型號(hào)：

    CSD19502Q5B

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    TI1【德州儀器】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Texas Instruments

  • 中文名稱(chēng)：

    美國(guó)德州儀器公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    14 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    841.26 kb

  • 資料說(shuō)明：

    80V N-Channel NexFET Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)

    ：CSD19502Q5B

  • Configuration

    ：Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    ：4.1

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    ：400

  • QG typ (nC)

    ：48

  • QGD typ (nC)

    ：8.6

  • Package (mm)

    ：SON5x6

  • VGS (V)

    ：20

  • VGSTH typ (V)

    ：2.7

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    ：157

  • ID - package limited (A)

    ：100

  • Logic level

    ：No

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳敏隆電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    趙總

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)6009A-6009B

相近型號(hào)