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CSD17318Q2_TI/德州儀器_這款采用2mm×2mm SON封裝的30V，12.6mΩNexFET?功率MOSFET的設(shè)計(jì)被用來(lái)降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗，并優(yōu)化5V柵極驅(qū)動(dòng)器.2mm x 2mm SON針對(duì)封裝尺寸提供了出色的散熱性能威雅利發(fā)展

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  • 廠家型號(hào)：

    CSD17318Q2

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    15600

  • 產(chǎn)品封裝：

    WSON6

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-30 19:33:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：CSD17318Q2品牌：TI

一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力

  • 芯片型號(hào)：

    CSD17318Q2

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TI【德州儀器】詳情

  • 廠商全稱：

    Texas Instruments

  • 中文名稱：

    美國(guó)德州儀器公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    15 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    959.821 kb

  • 資料說(shuō)明：

    這款采用2mm×2mm SON封裝的30V，12.6mΩNexFET?功率MOSFET的設(shè)計(jì)被用來(lái)降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗，并優(yōu)化5V柵極驅(qū)動(dòng)器.2mm x 2mm SON針對(duì)封裝尺寸提供了出色的散熱性能

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    ：CSD17318Q2

  • Configuration

    ：Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    ：16.9

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    ：68

  • QG typ (nC)

    ：6

  • QGD typ (nC)

    ：1.3

  • Package (mm)

    ：SON2x2

  • VGS (V)

    ：10

  • VGSTH typ (V)

    ：0.9

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    ：25

  • ID - package limited (A)

    ：22

  • Logic level

    ：Yes

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威雅利發(fā)展有限公司

  • 商鋪：

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  • 聯(lián)系人：

    陳經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    18938923845

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83137789/18938923845

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A座12K

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