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CSD17313Q2中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CSD17313Q2
廠商型號

CSD17313Q2

功能描述

CSD17313Q2 30-V N-Channel NexFET? Power MOSFET

絲印標識

1733

封裝外殼

WSON

文件大小

467.86 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI2德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-30 12:47:00

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CSD17313Q2規(guī)格書詳情

1 Features

? Optimized for 5-V Gate Drive

? Ultra-Low Qg and Qgd

? Low Thermal Resistance

? Pb-Free

? RoHS Compliant

? Halogen-Free

? SON 2-mm × 2-mm Plastic Package

2 Applications

? DC-DC Converters

? Battery and Load Management Applications

3 Description

This 30-V, 24-mΩ, 2-mm x 2-mm SON NexFET?

power MOSFET is designed to minimize losses in

power conversion applications and optimized for 5-V

gate drive applications. The 2-mm × 2-mm SON

offers excellent thermal performance for the size of

the package.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CSD17313Q2

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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