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CSD16327Q3

絲印：CSD16327；Package：VSON-CLIP；CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Optimizedfor5-VGateDrive ?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?Lead-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON3.3-mm×3.3-mmPlasticPackage 2Applications ?Point-of-LoadSynchronousBuckConverterfor Applicationsin

TI2Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD16327Q3

采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、4.8mΩ、25V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 針對 5V 柵極驅(qū)動器進(jìn)行優(yōu)化\n? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低熱阻\n? 雪崩級\n? 無鉛引腳鍍層\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? 小外形尺寸無引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝;

這款 25V、3.4m?、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET?功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的功率損耗并經(jīng)優(yōu)化以適用于 5V 柵極驅(qū)動器 應(yīng)用。

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD16327Q3

N-Channel NexFET??Power MOSFET

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CSD16327Q3

25-V N-Channel NexFET Power MOSFET

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CSD16327Q3.B

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/csd16327/marking.html">CSD16327；Package：VSON-CLIP；CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Optimizedfor5-VGateDrive ?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?Lead-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON3.3-mm×3.3-mmPlasticPackage 2Applications ?Point-of-LoadSynchronousBuckConverterfor Applicationsin

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CSD16327Q3T

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/csd16327/marking.html">CSD16327；Package：VSON-CLIP；CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Optimizedfor5-VGateDrive ?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?Lead-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON3.3-mm×3.3-mmPlasticPackage 2Applications ?Point-of-LoadSynchronousBuckConverterfor Applicationsin

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CSD16327Q3T.B

絲印：CSD16327；Package：VSON-CLIP；CSD16327Q3 25-V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Optimizedfor5-VGateDrive ?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?Lead-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON3.3-mm×3.3-mmPlasticPackage 2Applications ?Point-of-LoadSynchronousBuckConverterfor Applicationsin

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CSD16327Q3_16

25-V N-Channel NexFET Power MOSFET

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CSD16327Q3T

25-V N-Channel NexFET Power MOSFET

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技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    4.8

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    112

  • QG typ (nC)：

    6.2

  • QGD typ (nC)：

    1.1

  • Package (mm)：

    SON3x3

  • VGS (V)：

    10

  • VGSTH typ (V)：

    1.2

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    112

  • ID - package limited (A)：

    60

  • Logic level：

    Yes

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TI/德州儀器
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更多CSD16327Q3供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 15:31:00

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