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CSD16325Q5C

DualCool? N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

The NexFET? power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.\n \n; ·DualCool? Package SON 5×6mm\n ·Optimized for 2-Sided Cooling\n ·Optimized for 5V Gate Drive\n ·Ultralow Qg and Qgd\n ·Low Thermal Resistance\n ·Avalanche Rated\n ·Pb Free Terminal Plating\n ·RoHS Compliant and Halogen Free\n ·APPLICATIONS ·Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and C;

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

TI

CSD16325Q5C

DualCool??N-Channel NexFET??Power MOSFETs

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

TI

CSD16325Q5

N-ChannelNexFETPowerMOSFETs

1Features ?Optimizedfor5VGateDrive ?UltralowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?PbFreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications ?Point-of-LoadSynchronousBuckinNetworking, TelecomandComputing

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德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD16325Q5

N-ChannelNexFETPowerMOSFETs

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

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CSD16325Q5.B

N-ChannelNexFETPowerMOSFETs

1Features ?Optimizedfor5VGateDrive ?UltralowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?PbFreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications ?Point-of-LoadSynchronousBuckinNetworking, TelecomandComputing

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)：

    2.2

  • Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)：

    2.4

  • QG Typ (nC)：

    18

  • QGD Typ (nC)：

    3.5

  • Package (mm)：

    SON5x6 Dual Cool

  • RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)：

    1.7

  • VGS (V)：

    10

  • VGSTH Typ (V)：

    1.1

  • Logic Level：

    Yes

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
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原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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更多CSD16325Q5C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 9:05:00

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