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CSD13302W.B中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
CSD13302W.B |
功能描述 | CSD13302W 12 V N Channel NexFET? Power MOSFET |
文件大小 |
548.23 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
TI2【德州儀器】 |
中文名稱 | 美國(guó)德州儀器公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-7-17 18:32:00 |
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CSD13302W.B規(guī)格書詳情
1 Features
1? Ultra Low On Resistance
? Low Qg and Qgd
? Small Footprint 1 mm × 1 mm
? Low Profile 0.62 mm Height
? Pb Free
? RoHS Compliant
? Halogen Free
2 Applications
? Battery Management
? Load Switch
? Battery Protection
3 Description
This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to
deliver the lowest on resistance and gate charge in a
small 1 x 1 mm outline with excellent thermal
characteristics and an ultra low profile.
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
21+ |
DSBGA6 |
138000 |
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詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
20+ |
NA |
53650 |
TI原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
25+ |
25000 |
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詢價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
1922+ |
DSBGA6 |
6852 |
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TI/德州儀器 |
22+ |
DSBGA6 |
138000 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
23+ |
DSBGA6 |
12500 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
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詢價(jià) | ||
TI |
25+ |
DSBGA (YZB) |
6000 |
原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
TI |
25+23+ |
24635 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
TI |
16+ |
DSBGA |
10000 |
原裝正品 |
詢價(jià) |