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CSD13201W10數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD13201W10

功能描述

采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、34mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

原廠標(biāo)識
TI
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-3 20:00:00

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CSD13201W10規(guī)格書詳情

描述 Description

此器件設(shè)計用于在 超低高度并具有出色散熱特性的 盡可能小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生最低的導(dǎo)通 電阻和柵極電荷。 在 1 in22 盎司純銅 (Cu) (2 oz.) 且厚度為 0.060\" 的環(huán)氧板 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上,RθJA=105°C/W (典型值)。脈寬 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%

特性 Features

? 超低柵極電荷 (Qg) 和柵漏電荷 (Qgd)
? 小型封裝尺寸 1mm x 1mm
? 低高度(高度為 0.62mm)
? 無鉛
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 柵 - 源電壓鉗位

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD13201W10

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :34

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :20.2

  • QG typ (nC)

    :2.3

  • QGD typ (nC)

    :0.3

  • Package (mm)

    :WLP 1.0x1.0

  • VGS (V)

    :8

  • VGSTH typ (V)

    :0.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :1.6

  • ID - package limited (A)

    :1.6

  • Logic level

    :Yes

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