CP767分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
CP767 |
參數(shù)屬性 | CP767 封裝/外殼為模具;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANSISTOR |
功能描述 | Small Signal Transistor PNP- Saturated Switch Transistor Chip |
封裝外殼 | 模具 |
文件大小 |
80.65 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
1 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Central |
中文名稱 | 美國(guó)中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-9 23:42:00 |
CP767規(guī)格書(shū)詳情
CP767屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由美國(guó)中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP767晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 30 x 30 MILS
Die Thickness 9.0 MILS
Base Bonding Pad Area 3.85 x 4.20 MILS
Emitter Bonding Pad Area 7.35 x 3.75 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000?
Back Side Metalization Au - 15,000?
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
CP767V-2N3467-CT
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
1V @ 100mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 1A,5V
- 頻率 - 躍遷:
175MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
模具
- 供應(yīng)商器件封裝:
模具
- 描述:
TRANSISTOR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CYPRESS/賽普拉斯 |
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