CMPT5551E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
CMPT5551E |
| 參數(shù)屬性 | CMPT5551E 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 220V 0.6A SOT23 |
| 功能描述 | ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
119.13 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
Central |
| 中文名稱 | 美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-17 17:41:00 |
CMPT5551E規(guī)格書詳情
CMPT5551E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CMPT5551E晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-23 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage and small space saving packaging.
MARKING CODE: C555
FEATURES:
? High Collector Breakdown Voltage 250V
? Low Leakage Current 50nA Max
? Low Saturation Voltage 100mV Max @ 50mA
? Complementary Device CMPT5401E
? SOT-23 Surface Mount Package
APPLICATIONS:
? General purpose switching and amplification
? Telephone applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
CMPT5551E TR
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
100mV @ 5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
50nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 10mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
300MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23
- 描述：
TRANS NPN 220V 0.6A SOT23
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Central Semiconductor |
21+ |
SOT-23 |
277 |
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詢價(jià) | ||
SOT-23 |
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