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D2003

METALGATERFSILICONFET

GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET5W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES ?SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN ?SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS ?VERYLOWCrss ?SIMPLEBIASCIRCUITS ?LOWNOISE ?HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS ?VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom50MHzto1G

SEME-LAB

Seme LAB

D2003UK

METALGATERFSILICONFET

GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET5W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES ?SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN ?SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS ?VERYLOWCrss ?SIMPLEBIASCIRCUITS ?LOWNOISE ?HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS ?VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom50MHzto1G

SEME-LAB

Seme LAB

DG2003

Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch

DESCRIPTION TheDG2003/2004/2005aredualsingle-pole/single-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,fastswitching,lowon-resistance(rDS(on):1.2Ω)andsmallphysicalsize(MSOP-8),theDG2003/2004/2005areidealfor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DG2003

Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch

features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DG2003DQ

Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch

DESCRIPTION TheDG2003/2004/2005aredualsingle-pole/single-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,fastswitching,lowon-resistance(rDS(on):1.2Ω)andsmallphysicalsize(MSOP-8),theDG2003/2004/2005areidealfor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DG2003DQ

Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch

features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DGD2003

HALF-BRIDGEGATEDRIVER

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DGD2003

HALF-BRIDGEGATEDRIVERINSO-8

Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto200V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsinaHalf-BridgeConfiguration -290mASource/600mASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -InternalDeadTimeof420nstoProtectMOSFETs -WideLowSideGat

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DL-LS2003

INFRAREDLASERDIODE

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

DMP2003UPS

20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CMPD2003C TR TIN/LEAD

  • 制造商：

    Central Semiconductor Corp

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝：

    管件

  • 二極管配置：

    1 對共陰極

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：

    200mA

  • 速度：

    小信號 =< 200mA（Io），任意速度

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 150°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Centralsemi
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38000
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠鋒牸鍙皥!
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更多CMPD2003C TR TIN/LEAD供應(yīng)商 更新時間2025-6-24 17:32:00

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