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SSM3J332R

P?CHANNELMOSFET

FEATURES VDS(V)=-30V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

SSM3J332R

P?CHANNELMOSFET

FEATURES VDS(V)=-30V RDS(ON)46m(VGS=-10V) RDS(ON)54m(VGS=-4.5V) APPLICATIONS ForMobileComputing LoadSwitch NotebookAdaptorSwitch DC/DCConverter

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

SSM3J332R

TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications ?1.8-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=144mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=72.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=50.0mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=42.0mΩ(max)(@VGS=-10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J332R

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

SSM3J332R

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

SSM3J332R

PowerManagementSwitchApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多CMN3J332AM供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-9 11:06:00