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CM100BU-12H

Four IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts

Description: PowerexIGBTMOD?Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoffourIGBTTransistorsinanH-Bridgeconfiguration,witheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfreewheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolatedfrom

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

CM100BU-12H

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)半導(dǎo)體（Mitsubishi Electric Semiconductor）

CM100BU-12H

HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)半導(dǎo)體（Mitsubishi Electric Semiconductor）

CM100BU-12H_09

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)半導(dǎo)體（Mitsubishi Electric Semiconductor）

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    CM100BU-12H

  • 功能描述：

    IGBT MOD H-BRDG 600V 100A U SER

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    半導(dǎo)體模塊 >> IGBT

  • 系列：

    IGBTMOD™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    10

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT

  • 配置：

    單一 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    600V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce（開）：

    1.4V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    430A 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    100µA Vce

  • 時(shí)的輸入電容(Cies)：

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    1000W

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn) NTC

  • 熱敏電阻：

    無

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-227B

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IGBT
23+
15
詢價(jià)
MITSUBISHI/三菱
19+
MODULE
1290
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
 詢價(jià)
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全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
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MITSUBISHI
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詢價(jià)
三菱
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原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠
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MITSUBISHI
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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IGBT
1950+
980
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
MITSUBISH
專業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營-可開原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
更多CM100BU-12H供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-1 9:20:00

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