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CJU02N80

Plastic-Encapsulate MOSFETS

ZPSEMI

ZP Semiconductor

CJU02N80

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CJP02N80

N-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

CJP02N80

N-ChannelPowerMOSFET

ZPSEMI

ZP Semiconductor

SPP02N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·IndustrialwithhighDCbulkvoltage ·Switching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SSRF02N80SL

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多CJU02N80供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-25 10:04:00

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