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CGHV27030S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

CGHV27030S
廠商型號(hào)

CGHV27030S

參數(shù)屬性

CGHV27030S 封裝/外殼為12-VFDFN 裸露焊盤(pán);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET HEMT 50V 12DFN

功能描述

30 W, DC - 6.0 GHz, GaN HEMT
RF MOSFET HEMT 50V 12DFN

封裝外殼

12-VFDFN 裸露焊盤(pán)

文件大小

5.29346 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

27 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

WOLFSPEED

中文名稱(chēng)

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-12 14:32:00

CGHV27030S規(guī)格書(shū)詳情

CGHV27030S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CGHV27030S晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The CGHV27030S is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron

mobility transistor (HEMT) which offers high efficiency, high gain and wide

bandwidth capabilities. The CGHV27030S GaN HEMT devices are ideal for

telecommunications applications with frequencies of 700-960 MHz, 1200-1400

MHz, 1800-2200 MHz, 2500-2700 MHz, and 3300-3700 MHz at both 50 V and

28 V operations. The CGHV27030S is also ideal for tactical communications

applications operating from 20-2500 MHz, including land mobile radios.

Additional applications include L-Band RADAR and S-Band RADAR. The

CGHV27030S can operate with either a 50 V or 28 V rail. The transistor is

available in a 3mm x 4mm, surface mount, dual-flat-no-lead (DFN) package.

Features for 50 V in CGHV27030S-AMP1

? 2.5 - 2.7 GHz Operation

? 30 W Typical Output Power

? 20 dB Gain at 5 W PAVE

? -34 dBc ACLR at 5 W PAVE

? 30 efficiency at 5 W PAVE

? High degree of APD and DPD correction can be applied

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CGHV27030S

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型:

    HEMT

  • 頻率:

    6GHz

  • 增益:

    20.4dB

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    12-VFDFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    12-DFN(4x3)

  • 描述:

    RF MOSFET HEMT 50V 12DFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CREE
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專(zhuān)注MACOM品牌原裝正品代理分銷(xiāo),認(rèn)準(zhǔn)水星電子
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12DFN (4x3)
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