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CGHV1J006D

6 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’sCGHV1J006Disahighvoltagegalliumnitride(GaN)High ElectronMobilityTransistor(HEMT)onasiliconcarbidesubstrate,using a0.25μmgatelengthfabricationprocess.ThisGaN-on-SiCproductoffers superiorhighfrequency,highefficiencyfeatures.Itisidealfor

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CGHV1J006D

6 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

CreeCree, Inc

科銳

CGHV1J006D-GP4

Package：模具；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF MOSFET HEMT 40V DIE

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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Cree/Wolfspeed
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原裝現(xiàn)貨
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更多CGHV1J006D供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 16:44:00

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