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CEZC09R10L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V,42A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEZC09R10AL

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,40A,RDS(ON)=10.5mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CEZC09R10L供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 10:34:00