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CEP07N65	文件：416.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP07N65	文件：1.68263 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
CEP07N65A	文件：336.06 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP07N65A	文件：822.56 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP07N65LN	文件：518.57 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP07N65SA	文件：544.5 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP07N65A	文件：1.80142 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
CEU07N65A	文件：642.77 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,6A,RDS(ON)=1.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU07N65A	文件：1.5612 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
CEU07N65A	文件：628.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,6A,RDS(ON)=1.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU07N65LN	文件：507.84 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,5.9A,RDS(ON)=0.65W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU07N65SA	文件：536.62 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,6.2A,RDS(ON)=0.65W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CJP07N65	文件：1.68213 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
CJP07N65	文件：862.66 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJP07N65	文件：2.07573 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
CJPF07N65	文件：598.21 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
CJPF07N65	文件：940.11 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
H07N65	文件：168.38 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
MH07N65CT	文件：1.25727 Mbytes Page：8 Pages	650VSiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MHU07N65	文件：1.65046 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC

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詳細參數(shù)

型號：
CEP07N65
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳宇航軍工半導體有限公司	CEP07N65	CET/華瑞	19+	TO-220	67749	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	CEP07N65	CET	2020+	TO-220	80000	只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	CEP07N65	CET	2023+	TO-220	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	CEP07N65	TOSHIBA/東芝	23+	TO-252	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	CEP07N65	C	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CEP07N65	CET/華瑞	2022+	TO-220	32500	原廠代理終端免費提供樣品	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	CEP07N65		CET	TO-220	68900	原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	CEP07N65	CET/華瑞	23+	TO-220	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	CEP07N65	C	23+	TO-220	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳廊盛科技有限公司	CEP07N65	CET/華瑞	22+	TO-220	50000	只做原裝正品,假一罰十,歡迎咨詢	詢價

更多CEP07N65供應商更新時間2025-1-8 16:12:00

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