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CEG2288中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEG2288
廠商型號

CEG2288

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

301.38 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-5 20:00:00

CEG2288規(guī)格書詳情

FEATURES

20V, 6.2A, RDS(ON) = 24mW @VGS = 4.5V.

RDS(ON) = 34mW @VGS = 2.5V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TSSOP-8 Package.

Lead free product is acquired.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MURATA/村田
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40000
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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