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CEB02N6A中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CEB02N6A
廠商型號(hào)

CEB02N6A

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

592.86 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-1 11:52:00

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CEB02N6A規(guī)格書詳情

FEATURES

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

Lead free product is acquired.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    CEB02N6A

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CET
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