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CDLL4112	文件：96.51 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ?1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 ?LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT ?LOWCURRENTOPERATIONAT250μA ?METALLURGICALLYBONDED ?DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4112	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：DO-213AB，MELF 類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 齊納 - 單描述：DIODE ZENER 18V 500MW DO213AB	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
CDLL4112-1	文件：467.08 Kbytes Page：6 Pages	500 mW Metallurgically Bonded Glass Surface Mount Zener Diodes DESCRIPTION The1N4099UR-1through1N4135UR-1and1N4614UR-1through1N4627UR-1seriesare500mW,Zenervoltageregulatorsinthesurfacemount,glassDO-213AApackage.Voltagesfrom1.8to100Vin5,2,and1tolerancesareavailable.Theyareconstructedwithaninternalmetallurgicalbondand	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CDLL4112D	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 齊納 - 單描述：DIODE ZENER	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
CDLL4112D/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 齊納 - 單描述：VOLTAGE REGULATOR	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
CEC4112A	文件：666.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,40A,RDS(ON)=10.2mW@VGS=10V. RDS(ON)=16mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED4112A	文件：411.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,47A,RDS(ON)=10.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU4112A	文件：411.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,47A,RDS(ON)=10.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZC4112A	文件：744.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,40A,RDS(ON)=10.2mW@VGS=10V. RDS(ON)=16mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CLL4112	文件：307.74 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWNOISESILICONZENERDIODES6.8VOLTSTHRU47VOLTS500mW,5TOLERANCE	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
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CMPZ4112	文件：186.04 Kbytes Page：2 Pages	LOWNOISEZENERDIODE6.8VOLTSTHRU43VOLTS350mW,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPZ4099Seriestypesarehighqualitysiliconzenerdiodesdesignedforlowleakage,lowcurrentandlownoiseapplications. NOTE:Forlowervoltagedevices,seeCMPZ4614Series.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
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CNXBE4112	文件：68.41 Kbytes Page：1 Pages	BCABLEASSEMBLY	VCC Visual Communications Company	VCC
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
CDLL4112
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 齊納 - 單
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
容差：
±5%
工作溫度：
-65°C ~ 175°C
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
DO-213AB，MELF
供應商器件封裝：
DO-213AB
描述：
DIODE ZENER 18V 500MW DO213AB

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多CDLL4112供應商更新時間2025-1-11 10:18:00

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