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CDBMH3100-G

SMDSchottkyBarrierRectifiers

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CDBMH3100-HF

SMDSchottkyBarrierRectifiers

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CDBMH3100-HF

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COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CDBMH3100-HF

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COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CDBMHT3100-HF

SMDSchottkyBarrierRectifiers

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CED3100

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■30V,51A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=17mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED3100

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEM3100

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,12A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. RDS(ON)=19mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP3100

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■30V,47A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=21mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP3100

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 30V,47A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. RDS(ON)=21mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價(jià)代理QQ1304306553
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更多CC3100BOOSTERPACKBUNDLE-MCU供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-9 16:50:00

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