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C6D20065D1

6th Generation 650 V, 20 A Silicon Carbide Schottky Diode

Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

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更多C6D20065D1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-18 15:10:00

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