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C2983	文件：155.58 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
CZD2983	文件：615.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CZD2983J	文件：193.2 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CZD2983J-O	文件：193.2 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CZD2983J-Y	文件：193.2 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
EUP2983	文件：681.68 Kbytes Page：8 Pages	WhiteLEDDriverForBuck-BoostApplication	EUTECHEutech Microelectronics Inc 德信科技德信科技股份有限公司	EUTECH
FTC2983	文件：275.76 Kbytes Page：2 Pages	PowerAmplifierApplications	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRS2983SPBF	文件：504.67 Kbytes Page：17 Pages	LEDFLYBACKCONTROLIC	IRF International Rectifier	IRF
IRS2983SPBF	文件：502.7 Kbytes Page：17 Pages	LEDFLYBACKCONTROLIC	IRF International Rectifier	IRF
IRS2983STRPBF	文件：502.7 Kbytes Page：17 Pages	LEDFLYBACKCONTROLIC	IRF International Rectifier	IRF
KTC2983D	文件：281.6 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=160V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KTC2983D	文件：398.73 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHVOLTAGE) HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES ?HighTransitionFrequency:fT=100MHz(Typ.). ?ComplementarytoKTA1225D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTC2983L	文件：398.73 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHVOLTAGE) HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES ?HighTransitionFrequency:fT=100MHz(Typ.). ?ComplementarytoKTA1225D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTC2983L	文件：300.66 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=160V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
LP2983	文件：285.07 Kbytes Page：11 Pages	Micropower150mAVoltageRegulatorinSOT-23PackageForOutputVoltages1.2VDesignedforUsewithVeryLowESROutputCapacitors	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LP2983	文件：1.04043 Mbytes Page：25 Pages	Micropower150-mAVoltageRegulatorinSOT-23Package	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LTC2983	文件：3.66278 Mbytes Page：90 Pages	IsolatedHighAccuracyDigitalTemperatureMeasurementSystemwithEEPROM	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC2983	文件：337.8 Kbytes Page：26 Pages	QuadI2CVoltage,CurrentandTemperatureMonitor	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC2983	文件：776.96 Kbytes Page：72 Pages	Multi-SensorHighAccuracyDigitalTemperatureMeasurementSystem	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
PA2983	文件：163.91 Kbytes Page：6 Pages	LoPro??DPDTUSB2.0Switch	PROTEC Protek Devices	PROTEC

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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	C2983		24+	TO263-2.5	53		詢價(jià)
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更多C2983供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-17 16:30:00

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