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C0603C103J5RACTU	文件：71.72 Kbytes Page：1 Pages	Ceramic, Commercial-(CxxxxC), 0.01 uF, 5, 50 V, 0603, X7R, SMD, MLCC, Temperature Stable, Class II	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C0603C103J5GAC	文件：61.81 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountCeramicChipCapacitors??Ultra-HighCapacitance,C0GDielectric	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C0603C103J5GAC	文件：39.9 Kbytes Page：2 Pages	CERAMICCHIP/STANDARD	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C0603C103J5JACTU	文件：71.46 Kbytes Page：1 Pages	Ceramic,Commercial-(CxxxxC),0.01uF,5,50V,0603,U2J,SMD,MLCC,Ultra-Stable,LowLoss,ClassI	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C0603C103J5R	文件：686.34 Kbytes Page：20 Pages	RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：353.89 Kbytes Page：23 Pages	InGaPHBTLinearAmplifier 1Generaldescription TheMMZ25333Bisaversatile3?stagepoweramplifiertargetedatdriverandpre?driverapplicationsformacroandmicrobase stationsandfinal?stageapplicationsforsmallcells.Itsversatiledesignallowsoperationinanyfrequencybandfrom1500to 2700MHzprovidingg	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：916.42 Kbytes Page：21 Pages	RFPowerFieldEffectTransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：389.12 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 0--6000MHz,15.5dB20.5dBmInGaPHBTGPA TheMMG3015NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0t	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：640.44 Kbytes Page：17 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3003NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurpose	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	GalliumArsenideCATVIntegratedAmplifierModule Description ?24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features ?Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading ?ExcellentDistortionPerformance ?Built-inInputDiodeProtection ?GaAsFETTransistorTechnology ?Unconditi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：493.8 Kbytes Page：15 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3002NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：388.72 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3001NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：403.12 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) 0--6000MHz,18.5dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3008NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：423.6 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 0-6000MHz,19dB18.5dBmInGaPHBTGPA TheMMG3012NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfreq	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：438.37 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) 0--6000MHz,19dB16dBmInGaPHBTGPA TheMMG3007NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：364.07 Kbytes Page：15 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) 0-6000MHz,15dB17dBmInGaPHBT TheMMG3010NT1isaGeneralPurposeAmplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6000MH	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：456.37 Kbytes Page：20 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3005NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：478.77 Kbytes Page：24 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 400--2400MHz,17.5dB33dBmInGaPHBTGPA TheMMG3006NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom400to2400M	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：416.05 Kbytes Page：14 Pages	HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT) 0--6000MHz,15dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3011NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：403.42 Kbytes Page：15 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) 0--6000MHz,20dB20.5dBmInGaPHBT TheMMG3013NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfreque	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
C0603C103J5RACTU
功能描述：
多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT 50volts 10000pF X7R 5%
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
電容：
10 pF
容差：
1 %
電壓額定值：
250 V
溫度系數(shù)/代碼：
C0G(NP0) 外殼代碼 -
in：
0505 外殼代碼 -
mm：
1414
工作溫度范圍：
- 55 C to + 125 C
產(chǎn)品：
Low ESR MLCCs
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市金華微盛電子有限公司	C0603C103J5RACTU	KEMET	2019+	SMD	100000	原盒原包裝可BOM配套	詢(xún)價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	C0603C103J5RACTU	KEMET(基美)	23+	SMD	18648	免費(fèi)送樣,賬期支持,原廠直供,沒(méi)有中間商賺差價(jià)	詢(xún)價(jià)
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	C0603C103J5RACTU	KEM	24+		32000		詢(xún)價(jià)
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	C0603C103J5RACTU	原廠	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來(lái)電咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	C0603C103J5RACTU	KEMET	新		2715	全新原裝貨期兩周	詢(xún)價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	C0603C103J5RACTU	KEMET	23+	NA	3668	專(zhuān)做原裝正品,假一罰百!	詢(xún)價(jià)
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上海市鑫鴻達(dá)電子	C0603C103J5RACTU	KEMET	2022+		3581	全新原裝貨期兩周	詢(xún)價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	C0603C103J5RACTU	KEMET	2021+	C0603	100500	一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢(xún)價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	C0603C103J5RACTU	KEMET	21+	SMD	4000	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢(xún)價(jià)

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