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BZT52B30BS

400 mW Zener Diode 3.0 to 51 Volts

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BZT52B30-G

2ZenerVoltageToleranceZenerDiode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

BZT52B30-G

AEC-Q101qualified

FEATURES ?SiliconplanarpowerZenerdiodes ?TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard ?AEC-Q101qualifiedavailable?(partnumberonrequest) ?ESDcapabilityaccordingtoAEC-Q101:? Humanbodymodel>8kV? Machinemodel>800V ?BaseP/N-G3-

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BZT52B30JS

200mWZenerDiode3.0to75Volts

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BZT52B30L

ZenerDiode

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

BZT52B30LS

200mWZenerDiode2.4~75Volts

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BZT52B30Q

SmallSignalZenerDiodes

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

BZT52B30S

200mWSURFACEMOUNTZENERDIODE

PlanarDieConstruction 200mWPowerDissipation 2.4V–75VNominalZenerVoltage 2StandardVzTolerance DesignedforSurfaceMountApplication PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0

WTEWon-Top Electronics

毅星電子毅星電子股份有限公司

BZT52B30S

SOD-323Plastic-EncapsulateZenerDiodes

Features PlanarDieConstruction GeneralPurpose,MediumCurrent 200mWPowerDissipationOnCeramicPBC IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses AvailableinLeadFreeVersion

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

BZT52B30S

SurfaceMountZenerDiodes

Features ◇Widezenervoltagerangeselection:2.4Vto75V. ◇VZToleranceselectionof±2(Bseries). ◇Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses. ◇Moisturesensitivitylevel1. Applications ◇Zenerdiode. ◇Ultra-smallsurfacemountpackage.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

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