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BUZ80A

N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor

N-ChannelEnhancementModePowerMOSTransistor ●TypicalRDS(on)=2.5? ●AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ●100AVALANCHETESTED ●REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100℃ ●LOWINPUTCAPACITANCE ●LOWGATECHARGE ●APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ●HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCH

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

BUZ80A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUZ80A

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ80A

Drain source voltage

FASTPOWERMOSTRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BUZ80A

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

BUZ80AFI

N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor

N-ChannelEnhancementModePowerMOSTransistor ●TypicalRDS(on)=2.5? ●AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ●100AVALANCHETESTED ●REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100℃ ●LOWINPUTCAPACITANCE ●LOWGATECHARGE ●APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ●HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCH

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

BUZ80AFI

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BUZ80A

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    SIPMOS®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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更多BUZ80A供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 13:00:00

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