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BUZ32

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ32

9.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET

ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistordesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.This

Intersil

Intersil Corporation

BUZ32

SIPMOS Power Transistor

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUZ32

Nanosecond Switching Speeds

DESCRIPTION ?9.5A,200V ?RDS(ON)=0.400Ω ?SOAisPowerDissipationLimited ?NanosecondSwitchingSpeeds ?LinearTransferCharacteristics ?HighInputImpedance ?MajorityCarrierDevice ?RelatedLiterature APPLICATIONS ?ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfie

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUZ323

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ323

SIPMOS Power Transistor

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUZ323

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUZ325

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ325

SIPMOS Power Transistor

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUZ325

Easy driver for cost effective application

DESCRIPTION ?Highspeedswitching ?LowRDS(ON) ?Easydriverforcosteffectiveapplication APPLICATIONS ?Automotivepoweractuatordrivers ?Motorcontrols ?DC-DCconverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BUZ32

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 200V 9.5A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SIEMENS/西門子
22+
TO220
800000
原裝正品
 詢價
SIEMENS
05+
原廠原裝
524
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
SIEMENS
9705
50
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
INF
24+
17
詢價
INTERSIL
17+
TO-220
6200
詢價
INFINEON
23+
TO220-3
8890
價格優(yōu)勢、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢
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2339+
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16+
TO-220
10000
全新原裝現(xiàn)貨
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19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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16+
原廠封裝
10000
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢
 詢價
更多BUZ32供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 14:44:00

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