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BUL743	文件：221.57 Kbytes Page：10 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description Thedeviceismanufacturedusingthediffusedcollectorinplanartechnologyadoptingnewandenhancedhighvoltagestructure.Ithasanintrinsicruggednesswhichenablesthetransistortowithstandanhighcollectorcurrentlevelduringbreakdowncondition,withoutusingthetransil	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUL743	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 500V 12A TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
DTB743EE	文件：64.72 Kbytes Page：2 Pages	-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors) Feature 1.VCE(sat)islowerthantheconventionalproducts. 2.Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 3.Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoal	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTB743EE	文件：184.41 Kbytes Page：3 Pages	-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTB743EM	文件：184.41 Kbytes Page：3 Pages	-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTB743EM	文件：64.72 Kbytes Page：2 Pages	-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors) Feature 1.VCE(sat)islowerthantheconventionalproducts. 2.Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 3.Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoal	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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DTB743XM	文件：63.86 Kbytes Page：2 Pages	-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors) Feature 1)VCE(sat)islowerthantheconventionalproducts. 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 3)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoall	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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DTB743ZE	文件：63.94 Kbytes Page：2 Pages	-200mA/-30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors) Feature 1)VCE(sat)islowerthanconventionalproducts. 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 3)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoallowp	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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DTD743E	文件：353.43 Kbytes Page：7 Pages	NPN200mA30VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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DTD743EE	文件：64.97 Kbytes Page：2 Pages	200mA/30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BUL743
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 2.5A，10A
電流 - 集電極截止（最大值）：
250μA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
24 @ 2A，3V
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220
描述：
TRANS NPN 500V 12A TO220

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更多BUL743供應商更新時間2025-1-1 13:00:00

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