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BUK6D120-60P

Marking：4S；Package：DFN2020MD-6；60 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?ExtendedtemperaturerangeTj=175℃ ?Sidewettablefla

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更多BUK6D120-60供應商 更新時間2025-2-27 16:00:00

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