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BUK6C2R1-55C

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

1.1Generaldescription IntermediatelevelgatedriveN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET) inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedand qualifiedtotheappropriateAECstandardforuseinhigh-performanceautomotive applications. 1

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BUK6C2R1-55C

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BUK6C2R1-55C_15

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BUK6C2R1-55C

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    MOSFET N CH 55V 228A D2PAK

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, 55V, 228A, D2PAK

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, 55V, 228A, D2PAK; Transistor

  • Polarity：

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    228A; Drain Source Voltage

  • Vds：

    55V; On Resistance

  • Rds(on)：

    0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ：

    2.3V ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
NXP
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更多BUK6C2R1-55C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-28 15:08:00

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