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BU522

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?HighVoltage ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.5V@IC=4A APPLICATIONS ?Designedforuseinignitioncircuit.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BU522

Silicon Darlington NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?HighVoltage ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.5V@IC=4A APPLICATIONS ?Designedforuseinignitioncircuit.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

BU522A

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?HighVoltage ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V@IC=4A APPLICATIONS ?Designedforuseinignitioncircuit.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BU522A

Silicon Darlington NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?HighVoltage ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V@IC=4A APPLICATIONS ?Designedforuseinignitioncircuit.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

BU522B

7 AMPERES DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON 450 VOLTS 75 WATTS

PowerTransistormainlyintendedforuseasignitioncircuitoutputtransistor. ?Specifiedminimumsustainingvoltage:VCER(sus)=425VatIC=1A ?HighS.O.A.capability:VCE=400V ?LowVCE(sat)=2.0Vmax.atIC=4A

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BU522B

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?HighVoltage ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V@IC=4A APPLICATIONS ?Designedforuseinignitioncircuit.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BU522B

Silicon Darlington NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?HighVoltage ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V@IC=4A APPLICATIONS ?Designedforuseinignitioncircuit.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

BU52272NUZ

Omnipolar Detection Hall IC

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

BU52272NUZ-ZE2

Omnipolar Detection Hall IC

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

BU52273NUZ

Omnipolar Detection Hall IC

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

BU52273NUZ-ZE2

Omnipolar Detection Hall IC

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

BU52274NUZ

Omnipolar Detection Hall IC

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

BU52274NUZ-ZE2

Omnipolar Detection Hall IC

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

BU52272NUZ-ZE2

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:4-XFDFN 裸露焊盤 功能:全極開關 類別:傳感器,變送器 磁性傳感器 - 開關(固態(tài)) 描述:MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

BU52273NUZ-ZE2

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:4-XFDFN 裸露焊盤 功能:全極開關 類別:傳感器,變送器 磁性傳感器 - 開關(固態(tài)) 描述:MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

BU52274NUZ-ZE2

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:4-XFDFN 裸露焊盤 功能:全極開關 類別:傳感器,變送器 磁性傳感器 - 開關(固態(tài)) 描述:MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

晶體管資料

  • 型號:

    BU522

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質:

    開關管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    400V

  • 最大電流允許值:

    7A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    BU806,BU810,2SD1533,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍數:

    β>250

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    400

  • htest:

    999900

  • atest:

    7

  • wtest:

    75

詳細參數

  • 型號:

    BU522

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon Darlington NPN Power Transistor

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
TO-220
10000
全新
詢價
ISC
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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ON
23+
TO-220
11846
一級代理商現貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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NEXPERIA/安世
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SOT1289
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
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ON/安森美
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
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ON/安森美
22+
TO-220
6000
十年配單,只做原裝
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Freescale
23+
原廠封裝
5177
現貨
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ON/安森美
23+
TO-220
8400
專注配單,只做原裝進口現貨
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ON/安森美
23+
TO-220
8400
專注配單,只做原裝進口現貨
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24+
N/A
69000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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