BU323ZG 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
BU323ZG
產品分類：
芯片
生產廠商：
ON(安森美)
庫存數(shù)量：
18296
產品封裝：
生產批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-4-17 17:16:00

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原廠料號：BU323ZG品牌：ON(安森美)

公司只做原裝正品,假一賠十

BU323ZG是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ON(安森美)/onsemi生產封裝TO-247-3的BU323ZG晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

芯片型號：
BU323ZG
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數(shù)：
8 頁
文件大?。?/span>
132.83 kb
資料說明：
NPN Silicon Power Darlington

產品屬性

類型
描述
產品編號：
BU323ZG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
NPN - 達林頓
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.7V @ 250mA，10A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 5A，4.6V
頻率 - 躍遷：
2MHz
工作溫度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應商器件封裝：
TO-247-3
描述：
TRANS NPN DARL 350V 10A TO247-3

供應商

企業(yè)：
深圳市芯球通科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
王經理
手機：
13760231281
詢價：
電話：
0755-23816608/13760231281
傳真：
0755-23816808
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道上步工業(yè)區(qū)101棟510室

BU323ZG 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

BU323ZG

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