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BTS3060TF	文件：1.91821 Mbytes Page：34 Pages	Smart Low-Side Power Switch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS3060TFATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類(lèi)別：集成電路（IC）配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器描述：IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BY3060	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	Standardsiliconrectifierdiodes	SemikronSemikron International 賽米控丹佛斯	Semikron
BY3060	文件：150.57 Kbytes Page：2 Pages	Standardsiliconrectifierdiodes	SemikronSemikron International 賽米控丹佛斯	Semikron
C3060	文件：74 Kbytes Page：1 Pages	TYPECMP 2C18SOLIDBCFLEXOASFLEXTYPECMP/CL3P	GENERALGeneral Electric 通用電氣公司美國(guó)通用電氣公司	GENERAL
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CA3060	文件：143.1 Kbytes Page：12 Pages	110kHz,OperationalTransconductanceAmplifierArray Description TheCA3060monolithicintegratedcircuitconsistsofanarrayofthreeindependentOperationalTransconductanceAmplifiers(seeNote).Thistypeofamplifierhasthegenericcharacteristicsofanoperationalvoltageamplifierwiththeexceptionthattheforwardgaincharacteristic	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
CA3060E	文件：193.53 Kbytes Page：12 Pages	110kHz,OperationalTransconductanceAmplifierArray Description TheCA3060monolithicintegratedcircuitconsistsofanarrayofthreeindependentOperationalTransconductanceAmplifiers(seeNote).Thistypeofamplifierhasthegenericcharacteristicsofanoperationalvoltageamplifierwiththeexceptionthattheforwardgaincharacteristic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
CA3060E	文件：143.1 Kbytes Page：12 Pages	110kHz,OperationalTransconductanceAmplifierArray Description TheCA3060monolithicintegratedcircuitconsistsofanarrayofthreeindependentOperationalTransconductanceAmplifiers(seeNote).Thistypeofamplifierhasthegenericcharacteristicsofanoperationalvoltageamplifierwiththeexceptionthattheforwardgaincharacteristic	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
CBD3060LCT	文件：71.56 Kbytes Page：4 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
CBRX3060CT	文件：313.74 Kbytes Page：4 Pages	TrenchSchottkyBarrierRectifier	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
CC3060C-AZ	文件：127.87 Kbytes Page：3 Pages	3-phase3-line500VACAvailable5-150AForoutputlineonly	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 雙信電機(jī)雙信電機(jī)株式會(huì)社	SOSHIN
CEB3060	文件：413.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,105A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=8mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED3060	文件：397.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED3060	文件：617.19 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3060	文件：105.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,14A,RDS(ON)=7.8m?@VGS=10V. RDS(ON)=11.5m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM3060	文件：1.04453 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEM3060	文件：543.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,14A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. RDS(ON)=11.5mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP3060	文件：413.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,105A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=8mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU3060	文件：397.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市英特法電子科技有限公司	BTS3060TF	Infineon/英飛凌	23+	PG-TO252-3	6000	原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗(yàn)、終端BOM表可配單提供	詢(xún)價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	BTS3060TF	INFINEON/英飛凌	24+	TO-252	2500	只做原廠渠道可追溯貨源	詢(xún)價(jià)
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深圳市得捷芯城科技有限公司	BTS3060TF	Infineon(英飛凌)	23+	TO-252	6825	百分百原裝正品,可原型號(hào)開(kāi)票	詢(xún)價(jià)
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	BTS3060TF	INFINE0N	21+	DPAK (TO-252)	32568	100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)	詢(xún)價(jià)
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更多BTS3060TF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 16:51:00

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