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BTS

Space-saving Two-wire Signal Conditioners B-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

BTS100

Smart Highside Power Switch TEMPFET (P channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

Features ●Pchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BTS100

Smart Highside Power Switch

SmartHighsidePowerSwitch Features ●Pchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BTS100

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BTS110

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BTS112

TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●ThedrainpiniselectricalIyshortedtothetab

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BTS112

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BTS112A

TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●ThedrainpiniselectricalIyshortedtothetab

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BTS112A

TEMPFET(N-channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●ThedrainpiniselectricalIyshortedtothetab

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BTS113

TEMPFET (N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

Features ●Nchannel ●Logiclevel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

晶體管資料

  • 型號：

    BTS59/1000R

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    GTO-Thy

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    1000V

  • 最大電流允許值：

    15A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-70

  • vtest：

    1000

  • htest：

    999900

  • atest：

    15

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BTS

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 功能描述：

    Trans MOSFET N-CH 50V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BTS供應(yīng)商 更新時間2025-3-20 16:00:00

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