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BSZ018NE2LSI_IR/國(guó)際整流器_MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8澳億芯一部

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    BSZ018NE2LSI

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    IR

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    25000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TDFN8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    17+PBF

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-28 10:12:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：BSZ018NE2LSI品牌：IR

現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    BSZ018NE2LSI

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    631.24 kb

  • 資料說(shuō)明：

    OptiMOSTM Power-MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    BSZ018NE2LSI

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

  • RoHS：

    是

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市澳億芯電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生★★原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)分銷(xiāo)★★

  • 手機(jī)：

    13760200702

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    13760200702

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海大廈C-707

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