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BSD3C051VB

靜電抑制二極管;

BORNSEMIBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BSD3C051V

Microprocessorbasedequipment

Features Bidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)16A(8/20μs) 350Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Vbr.min(V)：

    6

  • Cj.max(PF)：

    140

  • Ppp(W)@8/20μS：

    600

  • Ipp(A)@8/20μS：

    40

  • Ir.max(μA)：

    1

  • ESD Contact(kv)：

    30

  • Package：

    SOD323

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
BORN(伯恩半導(dǎo)體)
24+
SOD323
50000
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伯恩全系列在售
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NA
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優(yōu)勢代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
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SOD323
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原裝進(jìn)口特價
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伯恩
21+
SOD323
9000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多BSD3C051VB供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 16:23:00

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