首頁(yè)>BSC018NE2LS>芯片詳情

BSC018NE2LS_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-Channel 25V MOSFET貿(mào)澤芯城一部

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    BSC018NE2LS

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    12000

  • 產(chǎn)品封裝:

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    23+

  • 庫(kù)存類型:

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-10-22 17:47:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):BSC018NE2LS品牌:Infineon(英飛凌)

一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力

  • 芯片型號(hào):

    BSC018NE2LS

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    820.71 kb

  • 資料說(shuō)明:

    OptiMOSTM Power-MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    BSC018NE2LS

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 25V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    貿(mào)澤芯城(深圳)電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    陳先生/周小姐

  • 手機(jī):

    18923718265

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-82721010

  • 傳真:

    0755-28225816

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級(jí)代理商