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BSC016N06NS

New OptiMOS??40V and 60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC016N06NS

OptiMOSTM Power-MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC016N06NSSC

Marking：016N06SC；Package：PG-WSON-8-2；OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V

Features ?Doublesidecooledpackage-withlowestJuntion-topthermalresistance ?175°Crated ?Optimizedforsynchronousrectification ?100avalanchetested ?Superiorthermalresistance ?N-channel ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?High

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC016N06NS_13

OptiMOSTM Power-MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC016N06NST

Marking：016N06NT；Package：TDSON-8FL；OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NTMFD016N06C

MOSFET-Power,DualN-Channel,DUALSO8FL60V,16.3m,32A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NVMFS016N06C

MOSFET-Power,SingleN-Channel,SO-8FL60V,15.6m,33A

Features ?SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVMFWS016N06C?WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,Hal

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NVMYS016N06C

MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,16m,33A

Features ?SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NVMYS016N06CTWG

MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,16m,33A

Features ?SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NVTFS016N06C

MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,16.3m,32A

Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFWS016N06C?WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Fr

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BSC016N06NS

  • 功能描述：

    MOSFET 60V SuperS08

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
2020+
PG-TDSON-8
22000
全新原裝正品 現(xiàn)貨庫存 價格優(yōu)勢
 詢價
HOLTEK
22+
sot
6600
正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。
 詢價
INFINEON
23+
DTSON8
5000
英飛凌汽車電子優(yōu)勢
 詢價
INFINEO
16+
TDSON-8
36000
原裝正品,優(yōu)勢庫存81
 詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
TDSON8
18025
原裝進口假一罰十
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TDSON-8
3580
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗歡迎詢價
 詢價
INFINEON
20+
PG-TDSON-8
50000
詢價
INFINEON/英菲凌
23+
TDSON-8
30000
只做原裝全系列供應價格優(yōu)勢
 詢價
INFINEON
21+
TDSON-8
31883
詢價
INFINEON
19+
TDSON-8
10000
原裝現(xiàn)貨熱賣
 詢價
更多BSC016N06NS供應商 更新時間2025-2-19 11:03:00

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