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BSC010N04LSI

20V-300V N-Channel Power MOSFET; ? Optimized for synchronous rectification\n? 15% lower R DS(on) than alternative devices\n? 31% improvement of FOM over similar devices\n? Integrated Schottky-like diode\n? RoHS compliant - halogen free\n? MSL1 rated\n\n優(yōu)勢(shì):\n? Highest system efficiency\n? Less paralleling required\n? Increased power density\n? System cost reduction\n? Very low voltage overshoot\n;

New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behavior for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC010N04LSI

New OptiMOS??40V and 60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC010N04LSI

OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC010N04LSI_16

OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V

InfineonInfineon Technologies AG

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BSC010N04LSTATMA1

INFINEON
PG-TDSON-8

InfineonInfineon Technologies AG

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相關(guān)企業(yè)：深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    BSC010N04LSIATMA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TDSON-8

  • VDS max：

    40 V

  • RDS (on) @10V max：

    1.05 m?

  • RDS (on) @4.5V max：

    1.4 m?

  • ID @25°C max：

    100 A

  • QG typ @4.5V：

    45 nC

  • Special Features：

    Monolithically Integrated Schottky-like Diode

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -55 °C

  • Operating Temperature max：

    150 °C

  • VGS(th) min：

    1.2 V

  • VGS(th) max：

    2 V

  • Technology：

    OptiMOS? 5

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全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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更多BSC010N04LSI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 14:27:00

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