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BSB008NE2LX

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSB008NE2LX

n-ChannelPowerMOSFET

Features ?Optimizedfore-fuseandOR-ingapplication ?UltralowRDS(on)inCanPAK-MXfootprint ?Lowprofile(

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BSB008NE2LXXT

  • 功能描述：

    MOSFET OptiMOS Power MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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公司只售原裝,支持實單
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十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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原裝正品,提供BOM配單服務
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更多BSB008NE2LXXT供應商 更新時間2025-1-18 11:00:00

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