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BS120	文件：30.97 Kbytes Page：2 Pages	Photodiode for Visible Light ■Features 1.Spectralsensitivitycharacteristicsakinto 2.Compactflatpackage 4.Infraredlightcut-offtypethatofhumaneyeVR=1V) 3.Lowdarkcurrent(Id:MAX.10-11Aat ■Applications 1.AE(automaticexposure)systemandES 2.Stroboscopes 3.Preciseopticalinstruments(el	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美國夏普微電子公司（SMA）	SHARP
BS120	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：側(cè)視圖類別：傳感器，變送器光學(xué)傳感器 - 光電二極管描述：SENSOR PHOTODIODE 560NM SIDE	SharpMicroelectronics Sharp Microelectronics	SharpMicroelectronics
BS120E0F	文件：100 bytes Page：1 Pages	封裝/外殼：側(cè)視圖類別：傳感器，變送器光學(xué)傳感器 - 光電二極管描述：SENSOR PHOTODIODE 560NM SIDE	SharpMicroelectronics Sharp Microelectronics	SharpMicroelectronics
BS-DRAN120	文件：301.29 Kbytes Page：4 Pages	AC-DCDINRAILMOUNTABLEPOWERSUPPLYINDUSTRIALCONTROLEQUIPMENT	CHINFA Chinfa Electronics Ind. Co., Ltd.	CHINFA
BSP120	文件：65.79 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BST120	文件：57.68 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelverticalD-MOStransistorinSOT89envelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers,usingSMDtechnology. FEATURES ?VerylowRDS(on) ?DirectinterfacetoC-MOS ?High-speedswitching ?Nosecondbreakdown	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BT-120	文件：113.09 Kbytes Page：6 Pages	serialadapter	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BTS120	文件：310.5 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BTS120	文件：445.86 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS120	文件：332.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BU120	文件：12.14 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BU120	文件：190.12 Kbytes Page：2 Pages	Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=200V(Min)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BU120	文件：129.47 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BVND-M120GT	文件：122.26 Kbytes Page：2 Pages	EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric	ABBabb ABB集團(tuán)ABB（中國）有限公司	ABB
BYX120G	文件：25.83 Kbytes Page：4 Pages	High-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifier DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEATURES	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BZT120	文件：386.73 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarZenerDiodes	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
BZT120	文件：162.33 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
C-120	文件：492.89 Kbytes Page：14 Pages	QuickStartGuideC-120AccessPoint	ARISTA Arista Networks, Inc	ARISTA
C-120-K	文件：192.91 Kbytes Page：1 Pages	CoilsandChokesforgeneraluse	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普萊默	PREMO
CA-120	文件：50.75 Kbytes Page：3 Pages	1/2DiscThermostats-AutomaticReset	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BS120
制造商：
Sharp Microelectronics
類別：
傳感器，變送器 > 光學(xué)傳感器 - 光電二極管
包裝：
散裝
波長：
560nm
頻譜范圍：
500nm ~ 600nm
電流 - 暗（典型值）：
3pA
有效面積：
1.55mm2
工作溫度：
-20°C ~ 60°C
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
側(cè)視圖
描述：
SENSOR PHOTODIODE 560NM SIDE

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更多BS120供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 16:16:00

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