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BRD18N06	文件：1.21634 Mbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
FTP18N06	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
FTP18N06N	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
NDT18N06	文件：1.20989 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
NTB18N06	文件：306.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTB18N06	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15A,60V,N??hannelTO??20&D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB18N06G	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15A,60V,N??hannelTO??20&D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB18N06L	文件：306.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTB18N06L	文件：92.15 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel(N??hannelTO??20andDPAK) PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB18N06L	文件：91.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB18N06LG	文件：91.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD18N06	文件：157.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET18Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD18N06	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD18N06	文件：168.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET18Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD18N06G	文件：157.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET18Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：334.95 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTD18N06L	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：92.06 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?AECQ101Qualified?NTDV18N06L ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：169.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET18A,60V,LogicLevelN.ChannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?AECQ101Qualified?NTDV18N06L ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD18N06LG	文件：897.07 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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