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BQ4011LYMA-70N

32 k ? 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

TI1Texas Instruments

德州儀器

BQ4011LYMA-70N

Package:28-DIP 模塊(0.61",15.49mm);包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

TI1Texas Instruments

德州儀器

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BQ4011LYMA-70N

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    28-DIP 模塊(18.42x37.72)

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
TI/TEXAS
23+
28-DIPMODUL
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TI
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28-DIP 模塊(18.42x37.72)
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更多BQ4011LYMA-70N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-28 14:52:00